Тестовое решение предназначено для автоматизированного контроля и измерения электрических параметров интегральных микросхем ОЗУ «4M High Speed SRAM (256-kword × 16-bit) R1RW0416DI» пр-ва Renaissance Technology Corporation и контроля их функционирования по техническим требованиям, изложенным в Приложении №9 к договору №11/11 от 27.09.2011 г.

ТР применяется в комплексе c системой контрольно-измерительной для функционального и параметрического контроля БИС и ИМС тестер FORMULA 2К в нормальных климатических условиях.