Техническая поддержка
Об измерении статических параметров микросхемы на этапе верификации проекта
Часто для верификации проекта СБИС разработчики таких изделий используют тесты статических параметров, таких, например, как ток потребления. Повышенное значение тока потребления будет сигнализировать о наличии той или иной ошибки.
При условии выполнения определенных правил на этапе проектирования, с помощью контроля тока потребления можно эффективно определять следующие группы ошибок:
А именно:
- технологические,
- проектные (разводка),
- случайные ошибки.
• перемычки • разрывы проводника
• разрывы затвора • разрывы стока и истока
• ошибки типа "постоянный уровень 0/1"
• КЗ подзатворного окисела - тиристорный эффект - задержки и и пр., связанные с коротким замыканием, отсутствием изоляции и т.д.
Для того, чтобы произвести верификацию проекта по результатам анализа измеренных значений тока потребления необходимо при проектировании микросхемы придерживаться минимальных
правил:
A1. Узлы затвора и стока (или истока) не должны быть в одной транзисторной группе.
A2. В устойчивом состоянии не должно быть линии проводника с источника питания на землю.
A3. Каждый выход транзисторной группы должен быть соединен с источником питания или землей в устойчивом состоянии.
A4. Внутри транзисторных групп не должно быть контрольных петель.
A5. Подложка (или карман) n-(p-) типа транзистора должна быть соединена с землей (питанием).
После проектирования микросхемы с учетом правил А1-А6, необходимо провести моделирование проекта с заведомо включенными ошибками для того, что бы по полученным результатам при измерении тока потребления можно было сделать вывод о конкретном типе дефекта.
Скачать статью Скачать презентацию