Часто для верификации проекта СБИС разработчики таких изделий используют тесты статических параметров, таких, например, как ток потребления. Повышенное значение тока потребления будет сигнализировать о наличии той или иной ошибки.

При условии выполнения определенных правил на этапе проектирования, с помощью контроля тока потребления можно эффективно определять следующие группы ошибок:

- технологические,

- проектные (разводка),

- случайные ошибки.

• перемычки                                                                            • разрывы проводника

• разрывы затвора                                                                   • разрывы стока и истока

• ошибки типа "постоянный уровень 0/1"

• КЗ подзатворного окисела - тиристорный эффект - задержки и и пр., связанные с коротким   замыканием, отсутствием изоляции и т.д.

Для того, чтобы произвести верификацию проекта по результатам анализа измеренных значений тока потребления необходимо при проектировании микросхемы придерживаться минимальных
правил:

A1. Узлы затвора и стока (или истока) не должны быть в одной транзисторной группе.

A2. В устойчивом состоянии не должно быть линии проводника с источника питания на землю.

A3. Каждый выход транзисторной группы должен быть соединен с источником питания или землей в устойчивом состоянии.

A4. Внутри транзисторных групп не должно быть контрольных петель.

A5. Подложка (или карман) n-(p-) типа транзистора должна быть соединена с землей (питанием).

После проектирования микросхемы с учетом правил А1-А6, необходимо провести моделирование проекта с заведомо включенными ошибками для того, что бы по полученным результатам при измерении тока потребления можно было сделать вывод о конкретном типе дефекта.

Скачать статью        Скачать презентацию